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從蒸發源或濺射靶中出來的沉積粒子到達基片表面之后,經過吸附、凝結、表面擴散、遷移、碰撞結合形成穩定晶核。然后再通過吸附使晶核長大成小島,島長大后互相聯結聚集,*形成連續薄膜。在這樣的成膜過程中,蒸發法和濺射法的主要區別是:
對于真空蒸發法,其入射到基片上的氣相原子對基片表面沒有影響,成核條件不發生改變。在蒸發過程中,基片和薄膜表面受殘余氣體分子或原子的轟擊次數較少,大約10的13次/cm²·s。所以雜質氣體摻人到薄膜中的可能性較小。另外,蒸發的氣相原子與殘余氣體很少發生化學反應。基片和薄膜的溫度變化也不顯著。
對于濺射法,入射到基片表面的離子和高能中性粒子對基片表面影響較大,可使基片表面變得比較粗糙、產生離子注入、表面小島暫時帶電以及與殘余氣體分子發生化學反應等。所以成核條件就有明顯變化,成核中心形成過程加快,成核密度顯著提高,工作氣體分子、殘余氣體分子、原子和離子都可對基片表面產生量級為10的17次/cm²·s的轟擊。這顯然比蒸發過程中出現的要大得多。因此雜質氣體或外部材料摻入薄膜的機會較多,在薄膜中容易發生活化或離化等化學反應。另外,由于入射的濺射粒子有較大動能,基片和薄膜的溫度變化也比較顯著。