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外延生長的基本參數(shù)之一是基片溫度,對于基片與薄膜材料之間,都有一個臨界外延溫度,高于此溫度的外延生長是良好的,而低于此溫度的外延生長則是不完善的。此外,生長速率R與基片溫度T有關。
如吸附原子在與另一個原子碰撞結(jié)合之前能進人穩(wěn)定的平衡位置,外延便能順利進行.顯然基片溫度升高會促進外延生長,它使表面原子具有更多的機會到達平衡位置,使表面擴散和體擴散都增強,結(jié)晶過程變得較容易進行.從而促進了單晶薄膜的生長。
基片的晶體結(jié)構(gòu)對于外延薄膜的結(jié)構(gòu)及取向有著十分重要的影響,同質(zhì)外延時兩者的結(jié)構(gòu)是一樣的,異質(zhì)外延時兩者的結(jié)構(gòu)也密切相關。異質(zhì)外延時常用失配度來描述基片結(jié)構(gòu)與薄膜結(jié)構(gòu)的關系。
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