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技術文章

薄膜內應力起因

    一般認為薄膜內應力是由熱效應、相變、界面應力、雜質效應等因素綜合作用的結果。
    一、熱效應
    熱效應是內應力的主要來源。因此在選擇基片時應盡量選擇其熱膨脹系數與薄膜相接近的材料,或者選擇可使薄膜處于壓應力狀態的基片材料。基片溫度對薄膜的內應力影響很大,它直接影響吸附原子在基片表面的遷移能力,從而影響薄膜的結構、晶粒的大小、缺陷的數最和分布,而這些都與內應力大小有關。
    二、相變
    薄膜的形成過程實際上也是一個相變過程,即由氣相變為液相再變為固相,這種相變帶來體積上的變化,從而產生內應力。在薄膜形成過程中,首先是在基片上凝聚成短程有序的類液體固相,這時薄膜并沒有本征應力;當類液體固相向穩定的晶相轉變以后,由于兩相密度不同,就產生了本征應力。例如Ga由液相變為固相時體積將發生膨脹,因而薄膜內將產生內應力;Sb在常溫下形成的薄膜一般是非晶態,當膜厚超過某一臨界值時將發生晶化,晶化時體積收縮,薄膜內就產生張應力。
    三、界面應力
    當薄膜材料的晶格結構與基片材料的晶格結構不同時,薄膜最初幾層的結構將受到基片的影響,形成接近或類似基片的晶格尺寸,然后逐漸過渡到薄膜材料本身的晶格尺寸。在過渡層中的結構畸變,將使薄膜產生內應力。這種由于界面上晶格的失配而產生的內應力稱為界面應力。為了減少界面應力,基片表面晶格結構應盡量與薄膜相匹配。
    四、雜質效應
    在淀積薄膜時,環境氣氛對內應力影響很大。真空室內的殘余氣體或其它雜質進人薄膜結構中將產生壓應力。制備好的薄膜置于大氣中,會受到環境氣氛的影響,例如銅膜的表面遇到空氣會在表面生成一層很薄的氧化層,它也會使薄膜增加壓應力。進人薄膜中的殘余氣體還可能再跑出來,在薄膜中留下空位或微孔,從而出現張應力。由于晶界擴散使雜質進人薄膜中也會產生壓應力。
    除了以上幾種原因以外,在薄膜生長過程中由于小島的合并、晶粒的合并、缺陷、微孔的擴散等,會引起表面張力的變化,也會引起薄膜內應力的變化。